Статья

Название статьи

ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ДРЕЙФА И НЕЛИНЕЙНОСТЕЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ КЕРАМИКИ 

Авторы

Стучебников Владимир Михайлович, доктор технических наук, генеральный директор ЗАО «МИДАУС», mida@mv.ru mida@mv.ru
Устинов Алексей Андреевич, магистр, Ульяновский государственный университет; инженер ЗАО «МИДАУС», ahsel@bk.ru
Нагорнов Юрий Сергеевич, кандидат физико-математических наук, доцент, кафедра физических методов в прикладных исследованиях, Ульяновский государственный университет, imfit@ulsu.ru

Индекс УДК

681.586.72

Аннотация

Рассмотрены тензопреобразователи давления на основе керамики и полупроводникового чувствительного элемента со структурой кремний на сапфире. Проведены исследования нелинейности и вариации выходного сигнала, температурного дрейфа керамических преобразователей с использованием различных видов керамики. Температурная погрешность керамических тензопреобразователей оказалась существенно ниже, чем у серийно выпускаемых
преобразователей давления, а точности керамических и серийно выпускаемых
тензопреобразователей сравнимы. 

Ключевые слова

датчик давления, тензопреобразователь давления, структура кремний на сапфире

 

 Скачать статью в формате PDF

Список литературы

1. Ваганов, В. И. Интегральные тензопреобразователи / В. И. Ваганов. – М. : Энергоиздат, 1983. –     136 с.
2. Стучебников, В. М. Маркетинг микроэлектронных датчиков / В. М. Стучебников // Зарубежная радиоэлектроника. – 1991. – № 8. – С. 3–6.
3. Стучебников, В. М. Структуры «КНС» как материал для тензопреобразователей механических величин / В. М. Стучебников // Радиотехника и электроника. – 2005. – Т. 50. – № 6. – С. 678–696.
4. Папков, В. С. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе / В. С. Папков, М. Б. Цыбульников. – М. : Энергия, 1979. – 88 с.
5. Стучебников, В. М. Тензорезисторные преобразователи на основе гетероэпитаксиальных структур Кремний на сапфире / В. М. Стучебников // Измерения, контроль, автоматизация. – 1982. – № 4. – С. 15–26.
6. Stuchebnikov, V. M. SOS Strain Gauge Sensors For Force And Pressure Transducers / V. M. Stuchebnikov // Sensors and Actuators. – 1991. – V. 28. – № 3. – P. 207–213. – (Ser. A).
7. Allan, R. Transducers make use of SOS diaphragms / R. Allan // Electronics. – 1979. – V. 52. – № 24. – P. 42–43.
8. Лурье, Г. И. Измерение давления в криогенных средах / Г. И. Лурье, В. М. Стучебников // Измерения, контроль, автоматизация. – 1989. – № 2 (70). – С. 18–25.
9. Стучебников, В. М. Оптимизация характеристик высокотемпературных тензопреобразователей на основе структур КНС / В. М. Стучебников, В. И. Суханов // Датчики на основе технологии микроэлектроники : материалы семинара МДНТП. – М., 1983. – С. 47–50.
10. Никифорова, З. В. Пайка сапфировых мембран с высокопрочными сплавами титана / З. В. Никифорова, С. Г. Румянцев, С. Л. Киселевский, В. И. Евдокимов // Сварочное производство. – 1974. – № 3. – С. 35–39.
11. Белоглазов, А. В. Полупроводниковые тензопреобразователи силы и давления на основе гетероэпитаксиальных структур «кремний на сапфире» / А. В. Белоглазов, В. М. Стучебников, В. В. Хасников [и др.] // Приборы и системы управления. – 1982. – № 5. – С. 21–27.
12. Папков, Н. С. Нелинейность механического преобразования в микроэлектронных датчиках давления / Н. С. Папков, В. С. Папков, В. М. Стучебников // Датчики и системы. – 1999. – № 5. –         С. 30–35.
13. Мартынов, Д. Б. Температурная коррекция тензопреобразователей давления на основе КНС / Д. Б. Мартынов, В. М. Стучебников // Датчики и системы. – 2002. – № 10. – С. 6–12.
14. Стучебников, В. М. О нормировании температурной погрешности тензорезисторных полупроводниковых датчиков / В. М. Стучебников // Датчики и системы. – 2004. – № 9. – С. 15–19.

 

Дата создания: 25.07.2013 14:03
Дата обновления: 25.07.2013 14:03